STMICROELECTRONICS STD18N55M5 晶体管, MOSFET, N沟道, 13 A, 550 V, 0.18 ohm, 10 V, 4 V
N 通道 MDmesh™ M5 系列,STMicroelectronics
MDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用,例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。
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得捷:
MOSFET N-CH 550V 16A DPAK
欧时:
### N 通道 MDmesh™ M5 系列,STMicroelectronicsMDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用,例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
立创商城:
N沟道 550V 16A
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MOSFET N-Ch 550V 0.18 13A MDmesh M5 Power MOS
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功率场效应管, MOSFET, N沟道, 550 V, 13 A, 0.18 ohm, TO-252 DPAK, 表面安装
艾睿:
This STD18N55M5 power MOSFET from STMicroelectronics can be used for amplification in your circuit. Its maximum power dissipation is 90000 mW. This component will be shipped in tape and reel packaging to allow for effective mounting and safe delivery. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C. This device utilizes mdmesh v technology.
安富利:
Trans MOSFET N-CH 550V 13A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
富昌:
N-Channel 550 V 0.18 mOhm 13 A 90 W Surface Mount Power Mosfet - TO-252
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH Si 550V 16A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 550V 16A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
Newark:
# STMICROELECTRONICS STD18N55M5 MOSFET Transistor, N Channel, 13 A, 550 V, 0.18 ohm, 10 V, 4 V
力源芯城:
550V,13A,N沟道MOSFET
DeviceMart:
MOSFET N-CH 550V 13A DPAK
Win Source:
MOSFET N-CH 550V 13A DPAK
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 0.18 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 90 W
阈值电压 4 V
漏源极电压Vds 550 V
漏源击穿电压 550 V
连续漏极电流Ids 16A
上升时间 9.5 ns
输入电容Ciss 1260pF @100VVds
额定功率Max 90 W
下降时间 13 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 110W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
长度 6.6 mm
宽度 6.2 mm
高度 2.4 mm
封装 TO-252-3
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Industrial, 工业, Power Management, 电源管理
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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