STL4N10F7

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STL4N10F7概述

N 沟道 100 V 4.5A 70 mOhm STripFET VII DeepGATE 功率 Mosfet - PowerFLAT 3.3 x 3.3

N-Channel 100 V 4.5A 70 mOhm STripFET VII DeepGATE Power Mosfet - PowerFLAT 3.3 x 3.3


得捷:
MOSFET N-CH 100V 4.5/18A PWRFLAT


贸泽:
MOSFET POWER MOSFET


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 100V 4.5A 8-Pin Power Flat T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 100V 4.5A 8-Pin Power Flat T/R


富昌:
N-沟道 100 V 4.5A 70 mOhm STripFET VII DeepGATE 功率 Mosfet - PowerFLAT 3.3 x 3.3


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 100V 4.5A 8-Pin Power Flat T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH 100V 4.5A 8-Pin Power Flat T/R


STL4N10F7中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

漏源极电阻 70 mΩ

极性 N-CH

耗散功率 35.7 W

阈值电压 4.5 V

漏源极电压Vds 100 V

漏源击穿电压 100 V

连续漏极电流Ids 4.5A

上升时间 3 ns

输入电容Ciss 408pF @50VVds

额定功率Max 2.9 W

下降时间 4 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2.9W Ta, 50W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 PowerFLAT-8

外形尺寸

高度 0.8 mm

封装 PowerFLAT-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

香港进出口证 NLR

数据手册

在线购买STL4N10F7
型号: STL4N10F7
描述:N 沟道 100 V 4.5A 70 mOhm STripFET VII DeepGATE 功率 Mosfet - PowerFLAT 3.3 x 3.3

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