STW56N60DM2

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STW56N60DM2概述

STMICROELECTRONICS  STW56N60DM2  Power MOSFET, Mdmesh DM2, N Channel, 50 A, 600 V, 0.052 ohm, 10 V, 4 V 新

N 通道 MDmesh DM2 系列,STMicroelectronics

MDmesh DM2 MOSFET 提供低 RDSon 和改进的二极管反向恢复时间,可提高效率,此系列经优化可用于全桥相移 ZVS 拓扑。

高 dV/dt 能力,可提高系统可靠性

符合 AEC-Q101


得捷:
MOSFET N-CH 600V 50A TO247


欧时:
STMicroelectronics MDmesh DM2 系列 Si N沟道 MOSFET STW56N60DM2, 50 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装


e络盟:
晶体管, MOSFET, Mdmesh DM2, N沟道, 50 A, 600 V, 0.052 ohm, 10 V, 4 V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 50A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 31A; 360W; TO247


Verical:
Trans MOSFET N-CH 600V 50A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube


Newark:
# STMICROELECTRONICS  STW56N60DM2  MOSFET, N-CH, 600V, 50A, TO-247


STW56N60DM2中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.052 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 360 W

阈值电压 4 V

漏源极电压Vds 600 V

连续漏极电流Ids 50A

上升时间 60 ns

输入电容Ciss 4100pF @100VVds

下降时间 12 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 360W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

长度 15.75 mm

宽度 5.15 mm

高度 20.15 mm

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准

含铅标准 无铅

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

STW56N60DM2引脚图与封装图
STW56N60DM2引脚图
STW56N60DM2封装焊盘图
在线购买STW56N60DM2
型号: STW56N60DM2
描述:STMICROELECTRONICS  STW56N60DM2  Power MOSFET, Mdmesh DM2, N Channel, 50 A, 600 V, 0.052 ohm, 10 V, 4 V 新
替代型号STW56N60DM2
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

STW56N60DM2

ST Microelectronics 意法半导体

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