STB13N80K5

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STB13N80K5概述

N 通道 MDmesh™ K5 系列,SuperMESH5™, STMicroelectronics### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics

N 通道 MDmesh™ K5 系列,SuperMESH5™, STMicroelectronics

### MOSFET ,STMicroelectronics


得捷:
MOSFET N-CH 800V 12A D2PAK


立创商城:
N沟道 800V 12A


欧时:
STMicroelectronics MDmesh K5, SuperMESH5 系列 Si N沟道 MOSFET STB13N80K5, 12 A, Vds=800 V, 3引脚


e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 12 A, 800 V, 0.37 ohm, 10 V, 4 V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 800V 12A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 800V 12A 3-Pin D2PAK T/R


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 800V 12A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 7.6A; 190W; D2PAK


Verical:
Trans MOSFET N-CH 800V 12A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


儒卓力:
**N-CH 800V 12A 450mOhm TO263 **


STB13N80K5中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.37 Ω

极性 N-CH

耗散功率 19 W

阈值电压 4 V

漏源极电压Vds 800 V

连续漏极电流Ids 12A

上升时间 16 ns

输入电容Ciss 870pF @100VVds

下降时间 16 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 190W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 10.4 mm

宽度 9.35 mm

高度 4.6 mm

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买STB13N80K5
型号: STB13N80K5
描述:N 通道 MDmesh™ K5 系列,SuperMESH5™, STMicroelectronics ### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics

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