STB34N50DM2AG参数规格_中文资料_数据手册PDF

STB34N50DM2AG概述

D2PAK N-CH 500V 26A

表面贴装型 N 通道 26A（Tc） 190W（Tc） D2PAK

得捷:
MOSFET N-CH 500V 26A D2PAK

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 500V 26A Automotive 3-Pin2+Tab D2PAK T/R

安富利:
N-channel MDmesh >350 V to 700 V

STB34N50DM2AG中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

耗散功率 190W Tc

漏源极电压Vds 500 V

连续漏极电流Ids 26A

上升时间 11.5 ns

输入电容Ciss 1850pF @100VVds

下降时间 8.1 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 190W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准无铅

数据手册

在线购买STB34N50DM2AG

型号： STB34N50DM2AG

描述：D2PAK N-CH 500V 26A