N 通道 STripFET™，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
N-Channel 40V 120A Tc 310W Tc Surface Mount D2PAK
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N沟道 40V 120A
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MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
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艾睿:
Trans MOSFET N-CH 40V 120A Automotive 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
富昌:
STB200NF04T4 系列 N 沟道 40 V 3.7 mOhm STripFET II Mosfet 表面贴装 - D2PAK
DeviceMart:
MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
Win Source:
MOSFET N-CH 40V 120A D2PAK
额定电压DC 40.0 V
额定电流 120 A
漏源极电阻 3.70 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 310000 mW
漏源极电压Vds 40 V
漏源击穿电压 40.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 120 A
上升时间 320 ns
输入电容Ciss 5100pF @25VVds
额定功率Max 310 W
下降时间 120 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 310000 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
长度 10.4 mm
宽度 9.35 mm
高度 4.6 mm
封装 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
STB200NF04T4 ST Microelectronics 意法半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
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