STMICROELECTRONICS STW55NM60ND 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 51 A, 600 V, 0.047 ohm, 10 V, 4 V
N 通道 FDmesh™ 功率 MOSFET,STMicroelectronics
### MOSFET ,STMicroelectronics
欧时:
STMicroelectronics FDmesh 系列 Si N沟道 MOSFET STW55NM60ND, 51 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-247封装
得捷:
MOSFET N-CH 600V 51A TO247-3
贸泽:
MOSFET N-channel 600 V FDMesh
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 51A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube
安富利:
Trans MOSFET N-CH 600V 51A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube
富昌:
N-Channel 600 V 60 mOhm Flange Mount FDmesh II Power Mosfet - TO-247
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 600V 51A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 32A; 350W; TO247
Verical:
Trans MOSFET N-CH 600V 51A Automotive 3-Pin3+Tab TO-247 Tube
Newark:
# STMICROELECTRONICS STW55NM60ND MOSFET Transistor, N Channel, 51 A, 600 V, 0.047 ohm, 10 V, 4 V
儒卓力:
**N-CH 600V 51A 60mOhm TO247-3 **
力源芯城:
600V,51A,N沟道MOSFET
Win Source:
MOSFET N-CH 600V 51A TO-247
DeviceMart:
MOSFET N-CH 600V 51A TO-247
针脚数 3
漏源极电阻 0.047 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 350 W
阈值电压 4 V
漏源极电压Vds 600 V
上升时间 68 ns
输入电容Ciss 5800pF @50VVds
额定功率Max 350 W
下降时间 96 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 350W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
长度 15.75 mm
宽度 5.15 mm
高度 20.15 mm
封装 TO-247-3
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
制造应用 Power Management, 电源管理, 工业, Industrial
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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