N 通道 STripFET™ H7 系列，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
N 通道 STripFET™ H7 系列，STMicroelectronics
STripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。
### MOSFET ，STMicroelectronics
得捷:
MOSFET N-CH 100V 70A DPAK
欧时:
STMicroelectronics STripFET H7 系列 Si N沟道 MOSFET STD80N10F7, 70 A, Vds=100 V, 3引脚 DPAK封装
贸泽:
MOSFET N-Ch 100V 0.0085Ohm typ 70A STripFET VII
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 100V 70A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 100V 70A 3-Pin DPAK T/R
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 100V 70A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
Verical:
Trans MOSFET N-CH 100V 70A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
力源芯城:
100V,70A,N沟道功率MOSFET
Win Source:
MOSFET N-CH 100V 70A DPAK
通道数 1
漏源极电阻 10 mΩ
极性 N-CH
耗散功率 85 W
阈值电压 4.5 V
输入电容 3100 pF
漏源极电压Vds 100 V
漏源击穿电压 100 V
连续漏极电流Ids 70A
上升时间 32 ns
输入电容Ciss 3100pF @50VVds
额定功率Max 85 W
下降时间 13 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 85W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
长度 6.6 mm
宽度 6.2 mm
高度 2.4 mm
封装 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
香港进出口证 NLR
