Trans MOSFET N-CH 650V 34A 4Pin Power Flat T/R
N-Channel 650V 4A Ta, 34A Tc 3W Ta, 208W Tc Surface Mount PowerFlat™ 8x8 HV
得捷:
MOSFET N-CH 650V 4A PWRFLAT HV
贸泽:
MOSFET N-Ch 650V 0.070Ohm 34A Mdmesh M5
艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 650V 34A 5-Pin Power Flat T/R
富昌:
650v,35a,70MOHMS,PowerFLAT8x8
Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 650V 34A 4-Pin Power Flat T/R
通道数 1
漏源极电阻 79 mΩ
耗散功率 208 W
阈值电压 4 V
漏源击穿电压 650 V
输入电容Ciss 4650pF @100VVds
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 3W Ta, 208W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 5
封装 PowerFLAT-8x8-HV-5
封装 PowerFLAT-8x8-HV-5
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
STL42N65M5 ST Microelectronics 意法半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
STL21N65M5 意法半导体 | 类似代替 | STL42N65M5和STL21N65M5的区别 |
STL23NM60ND 意法半导体 | 功能相似 | STL42N65M5和STL23NM60ND的区别 |