STMICROELECTRONICS STP95N4F3 晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 40 V, 0.0054 ohm, 10 V, 2 V
N 通道 STripFET™ F3,STMicroelectronics
STripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。
### MOSFET ,STMicroelectronics
得捷:
MOSFET N-CH 40V 80A TO220AB
欧时:
### N 通道 STripFET™ F3,STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
贸泽:
MOSFET N Ch 40V 5.4mOhm 80A
e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 40 V, 0.0054 ohm, 10 V, 2 V
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive 3-Pin3+Tab TO-220 Tube
Verical:
Trans MOSFET N-CH 40V 80A Automotive 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube
Newark:
# STMICROELECTRONICS STP95N4F3 MOSFET Transistor, N Channel, 80 A, 40 V, 0.0054 ohm, 10 V, 2 V
儒卓力:
**N-CH 40V 80A 7mOhm TO220-3 **
力源芯城:
40V,5.4mΩ,80A,N沟道功率MOSFET
Win Source:
MOSFET N-CH 40V 80A TO-220
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 0.0054 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 110 W
阈值电压 2 V
漏源极电压Vds 40 V
漏源击穿电压 40 V
连续漏极电流Ids 80A
上升时间 50 ns
输入电容Ciss 2200pF @25VVds
额定功率Max 110 W
下降时间 15 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 110W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.4 mm
宽度 4.6 mm
高度 15.75 mm
封装 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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