STW56N65DM2

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STW56N65DM2概述

STMICROELECTRONICS  STW56N65DM2  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 49 A, 650 V, 0.049 ohm, 10 V, 3 V 新

N 通道 MDmesh DM2 系列,STMicroelectronics

MDmesh DM2 MOSFET 提供低 RDSon 和改进的二极管反向恢复时间,可提高效率,此系列经优化可用于全桥相移 ZVS 拓扑。

高 dV/dt 能力,可提高系统可靠性

符合 AEC-Q101

### MOSFET ,STMicroelectronics


得捷:
MOSFET N-CH 650V 48A TO247


立创商城:
N沟道 650V 48A


欧时:
### N 通道 MDmesh DM2 系列,STMicroelectronicsMDmesh DM2 MOSFET 提供低 RDSon 和改进的二极管反向恢复时间,可提高效率,此系列经优化可用于全桥相移 ZVS 拓扑。高 dV/dt 能力,可提高系统可靠性 符合 AEC-Q101 ### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics


贸泽:
MOSFET N-channel 650 V, 0.052 Ohm typ., 48 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-247 package


e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 49 A, 650 V, 0.049 ohm, 10 V, 3 V


安富利:
Trans MOSFET N-CH 650V 48A 3-Pin TO-247 Tube


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 30A; 360W; TO247


Verical:
Trans MOSFET N-CH 650V 48A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube


Newark:
# STMICROELECTRONICS  STW56N65DM2  MOSFET, N-CH, 650V, 49A, TO247-3


STW56N65DM2中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.049 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 358 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 650 V

上升时间 31 ns

输入电容Ciss 4100pF @100VVds

下降时间 7.7 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 360W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

长度 15.75 mm

宽度 5.15 mm

高度 20.15 mm

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Rail, Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买STW56N65DM2
型号: STW56N65DM2
描述:STMICROELECTRONICS  STW56N65DM2  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 49 A, 650 V, 0.049 ohm, 10 V, 3 V 新

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