












STMICROELECTRONICS STW56N65DM2 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 49 A, 650 V, 0.049 ohm, 10 V, 3 V 新
N 通道 MDmesh DM2 系列,STMicroelectronics
MDmesh DM2 MOSFET 提供低 RDSon 和改进的二极管反向恢复时间,可提高效率,此系列经优化可用于全桥相移 ZVS 拓扑。
高 dV/dt 能力,可提高系统可靠性
符合 AEC-Q101
### MOSFET ,STMicroelectronics
得捷:
MOSFET N-CH 650V 48A TO247
立创商城:
N沟道 650V 48A
欧时:
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贸泽:
MOSFET N-channel 650 V, 0.052 Ohm typ., 48 A MDmesh DM2 Power MOSFET in a TO-247 package
e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 49 A, 650 V, 0.049 ohm, 10 V, 3 V
安富利:
Trans MOSFET N-CH 650V 48A 3-Pin TO-247 Tube
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 30A; 360W; TO247
Verical:
Trans MOSFET N-CH 650V 48A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube
Newark:
# STMICROELECTRONICS STW56N65DM2 MOSFET, N-CH, 650V, 49A, TO247-3
针脚数 3
漏源极电阻 0.049 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 358 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 650 V
上升时间 31 ns
输入电容Ciss 4100pF @100VVds
下降时间 7.7 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 360W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
长度 15.75 mm
宽度 5.15 mm
高度 20.15 mm
封装 TO-247-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Rail, Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
REACH SVHC版本 2015/12/17