STW16N65M5

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STW16N65M5概述

TO-247 N-CH 650V 12A

N-Channel 650V 12A Tc 90W Tc Through Hole TO-247-3


得捷:
MOSFET N-CH 650V 12A TO247-3


贸泽:
MOSFET MDmesh V 650V 12A 710V VDSS <0.299 Ohm


艾睿:
Use STMicroelectronics&s; STW16N65M5 power MOSFET to switch quickly between different electronic signals with ease. Its maximum power dissipation is 90000 mW. In order to ensure parts aren&s;t damaged by bulk packaging, this product comes in tube packaging to add a little more protection by storing the loose parts in an outer tube. This MOSFET transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This device is made with mdmesh technology.


DeviceMart:
MOSFET N-CH 650V 12A TO-247


Win Source:
MOSFET N-CH 650V 12A TO-247


STW16N65M5中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 90 W

漏源极电压Vds 650 V

连续漏极电流Ids 12A

上升时间 7 ns

输入电容Ciss 1250pF @100VVds

额定功率Max 90 W

下降时间 8 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 90W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

封装 TO-247-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买STW16N65M5
型号: STW16N65M5
描述:TO-247 N-CH 650V 12A
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