STP9NK70Z

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STP9NK70Z概述

STMICROELECTRONICS  STP9NK70Z  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4 A, 700 V, 1 ohm, 10 V, 3.75 V

N 通道 MDmesh™ SuperMESH™,700V 至 1200V,STMicroelectronics


得捷:
MOSFET N-CH 700V 7.5A TO220AB


立创商城:
STP9NK70Z


欧时:
STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STP9NK70Z, 7.5 A, Vds=700 V, 3引脚 TO-220封装


e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 4 A, 700 V, 1 ohm, 10 V, 3.75 V


艾睿:
If you need to either amplify or switch between signals in your design, then STMicroelectronics&s; STP9NK70Z power MOSFET is for you. Its maximum power dissipation is 115000 mW. In order to ensure parts aren&s;t damaged by bulk packaging, this product comes in tube packaging to add a little more protection by storing the loose parts in an outer tube. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This device is made with supermesh technology. This MOSFET transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C.


安富利:
Trans MOSFET N-CH 700V 7.5A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 700V; 4.7A; 115W; TO220-3


Verical:
Trans MOSFET N-CH 700V 7.5A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube


Newark:
# STMICROELECTRONICS  STP9NK70Z  Power MOSFET, N Channel, 4 A, 700 V, 1 ohm, 10 V, 3.75 V


Win Source:
N-CHANNEL 7V - 1ohm - 7.5A TO-22/FP/D2PAK/I2PAK/TO-247 Zener-Protected SuperMESHPower MOSFET


STP9NK70Z中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 700 V

额定电流 7.50 A

针脚数 3

漏源极电阻 1 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 115 W

阈值电压 3.75 V

漏源极电压Vds 700 V

漏源击穿电压 700 V

栅源击穿电压 ±30.0 V

连续漏极电流Ids 4.00 A

上升时间 17 ns

输入电容Ciss 1370pF @25VVds

额定功率Max 115 W

下降时间 13 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 115W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.4 mm

宽度 4.6 mm

高度 16.4 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买STP9NK70Z
型号: STP9NK70Z
描述:STMICROELECTRONICS  STP9NK70Z  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 4 A, 700 V, 1 ohm, 10 V, 3.75 V
替代型号STP9NK70Z
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