STD100NH02LT4

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STD100NH02LT4概述

N沟道24V - 0.0042 ? - 60A - DPAK - IPAK的STripFET ?二功率MOSFET N-channel 24V - 0.0042з - 60A - DPAK - IPAK STripFET⑩ II Power MOSFET

N-Channel 24V 60A Tc 100W Tc Surface Mount DPAK


得捷:
MOSFET N-CH 24V 60A DPAK


贸泽:
MOSFET N-Ch 24 Volt 60 Amp


艾睿:
Looking for a component that can both amplify and switch between signals within your circuit? The STD100NH02LT4 power MOSFET from STMicroelectronics provides the solution. Its maximum power dissipation is 100000 mW. This product will be shipped in tape and reel packaging so that components can be mounted effectively. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This MOSFET transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 175 °C.


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 24V 60A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


Win Source:
MOSFET N-CH 24V 60A DPAK


STD100NH02LT4中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 24.0 V

额定电流 60.0 A

漏源极电阻 5.00 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 100 W

漏源极电压Vds 24 V

漏源击穿电压 24.0 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 60.0 A

上升时间 200 ns

输入电容Ciss 3940pF @15VVds

额定功率Max 100 W

下降时间 35 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 100W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.6 mm

宽度 6.2 mm

高度 2.4 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Cut Tape CT

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买STD100NH02LT4
型号: STD100NH02LT4
描述:N沟道24V - 0.0042 ? - 60A - DPAK - IPAK的STripFET ?二功率MOSFET N-channel 24V - 0.0042з - 60A - DPAK - IPAK STripFET⑩ II Power MOSFET
替代型号STD100NH02LT4
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