STB24N65M2

STB24N65M2图片1
STB24N65M2图片2
STB24N65M2图片3
STB24N65M2图片4
STB24N65M2图片5
STB24N65M2图片6
STB24N65M2图片7
STB24N65M2图片8
STB24N65M2概述

D2PAK N-CH 650V 16A

N-Channel 650V 16A Tc 150W Tc Surface Mount D2PAK


得捷:
MOSFET N-CH 650V 16A D2PAK


艾睿:
Make an effective common gate amplifier using this STB24N65M2 power MOSFET from STMicroelectronics. Its maximum power dissipation is 150000 mW. Tape and reel packaging will encase the product during shipment, ensuring safe delivery and enabling quick mounting of components. This device is made with mdmesh m2 technology. This MOSFET transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode.


安富利:
Trans MOSFET N-CH 650V 16A 3-Pin D2PAK T/R


富昌:
N-沟道 650 V 0.23 Ω 150 W 表面贴装 MDmesh M2 功率 Mosfet - D2PAK


Verical:
Trans MOSFET N-CH 650V 16A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


儒卓力:
**N-CH 650V 16A 185mOhm TO263 **


STB24N65M2中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 0.23 Ω

极性 N-CH

耗散功率 150 W

漏源极电压Vds 650 V

连续漏极电流Ids 16A

上升时间 9.5 ns

输入电容Ciss 1060pF @100VVds

下降时间 25.5 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 150W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买STB24N65M2
型号: STB24N65M2
描述:D2PAK N-CH 650V 16A
替代型号STB24N65M2
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

STB24N65M2

ST Microelectronics 意法半导体

当前型号

当前型号

STP24N65M2

意法半导体

完全替代

STB24N65M2和STP24N65M2的区别

TK17J65U

东芝

功能相似

STB24N65M2和TK17J65U的区别

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台