STW26NM60ND概述
N 通道 FDmesh™ 功率 MOSFET，STMicroelectronics### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
N 通道 FDmesh™ 功率 MOSFET，STMicroelectronics
得捷:
MOSFET N-CH 600V 21A TO247
欧时:
STMicroelectronics FDmesh 系列 Si N沟道 MOSFET STW26NM60ND, 21 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-247封装
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube
富昌:
N沟道 600 V 0.175 Ohm 法兰安装 功率 Mosfet - TO-247
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 600V 22A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube
Verical:
Trans MOSFET N-CH 600V 21A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube
STW26NM60ND中文资料参数规格
技术参数
耗散功率 190 W
阈值电压 4 V
漏源极电压Vds 600 V
上升时间 14.5 ns
输入电容Ciss 1817pF @100VVds
额定功率Max 190 W
下降时间 27.5 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 190W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
外形尺寸
长度 15.75 mm
宽度 5.15 mm
高度 20.15 mm
封装 TO-247-3
物理参数
工作温度 150℃ TJ
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
在线购买STW26NM60ND
型号： STW26NM60ND
描述：N 通道 FDmesh™ 功率 MOSFET，STMicroelectronics ### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics