STP80N20M5

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STP80N20M5概述

200V,61A,N沟道MOSFET

通孔 N 通道 200 V 61A(Tc) 190W(Tc) TO-220AB


得捷:
MOSFET N-CH 200V 61A TO220AB


艾睿:
This STP80N20M5 power MOSFET from STMicroelectronics can be used for amplification in your circuit. Its maximum power dissipation is 190000 mW. In order to ensure parts aren&s;t damaged by bulk packaging, this product comes in tube packaging to add a little more protection by storing the loose parts in an outer tube. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This device utilizes mdmesh v technology. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C.


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 200V 61A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube


力源芯城:
200V,61A,N沟道MOSFET


Win Source:
MOSFET N-CH 200V 61A TO-220


STP80N20M5中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 0.019 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 190 W

阈值电压 4 V

漏源极电压Vds 200 V

输入电容Ciss 4329pF @50VVds

额定功率Max 190 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 190W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买STP80N20M5
型号: STP80N20M5
描述:200V,61A,N沟道MOSFET
替代型号STP80N20M5
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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