STFI20N65M5

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STFI20N65M5概述

N 通道 MDmesh™ M5 系列,STMicroelectronicsMDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用,例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics

N 通道 MDmesh™ M5 系列,STMicroelectronics

MDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用,例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。


得捷:
MOSFET N CH 650V 18A I2PAKFP


欧时:
### N 通道 MDmesh™ M5 系列,STMicroelectronicsMDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用,例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics


贸泽:
MOSFET N-Ch 650 V 0.160 Ohm 18 A MDmeshTM M5


艾睿:
If you need to either amplify or switch between signals in your design, then STMicroelectronics&s; STFI20N65M5 power MOSFET is for you. Its maximum power dissipation is 30000 mW. In order to ensure parts aren&s;t damaged by bulk packaging, this product comes in tube packaging to add a little more protection by storing the loose parts in an outer tube. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This device utilizes mdmesh technology. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C.


安富利:
Trans MOSFET N-CH 650V 18A 3-Pin TO-281 Tube


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 650V 18A 3-Pin3+Tab I2PAKFP Tube


Verical:
Trans MOSFET N-CH 650V 18A 3-Pin3+Tab I2PAKFP Tube


力源芯城:
650V,18A,N沟道MOSFET


DeviceMart:
MOSFET N CH 650V 18A I2PAKFP


STFI20N65M5中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 30 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 650 V

上升时间 7.5 ns

输入电容Ciss 1345pF @100VVds

下降时间 7.5 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 130W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-262-3

外形尺寸

长度 10.4 mm

宽度 4.6 mm

高度 10.85 mm

封装 TO-262-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买STFI20N65M5
型号: STFI20N65M5
描述:N 通道 MDmesh™ M5 系列,STMicroelectronics MDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用,例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。 ### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
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