STMICROELECTRONICS STP80NF03L-04 晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 30 V, 0.004 ohm, 10 V, 1 V
N 通道 STripFET™ II,STMicroelectronics
STripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。
### MOSFET ,STMicroelectronics
得捷:
MOSFET N-CH 30V 80A TO220AB
欧时:
STMicroelectronics STripFET II 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STP80NF03L-04, 80 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-220封装
贸泽:
MOSFET N-Ch 30 Volt 80 Amp
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube
Jameco:
Mos 30Volt.004Ohm
安富利:
Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube
富昌:
STP80NF03L 系列 N 沟道 30 V 0.004 Ohm STripFET II 功率 Mosfet - TO-220
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 80A; 300W; TO220-3
Verical:
Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube
Newark:
# STMICROELECTRONICS STP80NF03L-04 MOSFET Transistor, N Channel, 80 A, 30 V, 0.004 ohm, 10 V, 1.7 V
Online Components:
Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube
Win Source:
MOSFET N-CH 30V 80A TO-220
额定电压DC 30.0 V
额定电流 80.0 A
额定功率 300 W
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 0.004 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 300 W
阈值电压 1 V
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 80.0 A
上升时间 270 ns
输入电容Ciss 5500pF @25VVds
额定功率Max 300 W
下降时间 95 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -65 ℃
耗散功率Max 300W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.4 mm
宽度 4.6 mm
高度 9.15 mm
封装 TO-220-3
工作温度 175℃ TJ
产品生命周期 Unknown
包装方式 Tube
制造应用 工业, 车用, Audio, Industrial, 电源管理, Power Management, Motor Drive & Control, Automotive, 电机驱动与控制, 音频
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
---|---|---|
STP80NF03L-04 ST Microelectronics 意法半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
STP55NF06 意法半导体 | 类似代替 | STP80NF03L-04和STP55NF06的区别 |
STP60NF06 意法半导体 | 类似代替 | STP80NF03L-04和STP60NF06的区别 |
STP5NK100Z 意法半导体 | 类似代替 | STP80NF03L-04和STP5NK100Z的区别 |