STP80NF03L-04

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STP80NF03L-04概述

STMICROELECTRONICS  STP80NF03L-04  晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 30 V, 0.004 ohm, 10 V, 1 V

N 通道 STripFET™ II,STMicroelectronics

STripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。

### MOSFET ,STMicroelectronics


得捷:
MOSFET N-CH 30V 80A TO220AB


欧时:
STMicroelectronics STripFET II 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STP80NF03L-04, 80 A, Vds=30 V, 3引脚 TO-220封装


贸泽:
MOSFET N-Ch 30 Volt 80 Amp


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube


Jameco:
Mos 30Volt.004Ohm


安富利:
Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube


富昌:
STP80NF03L 系列 N 沟道 30 V 0.004 Ohm STripFET II 功率 Mosfet - TO-220


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 30V; 80A; 300W; TO220-3


Verical:
Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube


Newark:
# STMICROELECTRONICS  STP80NF03L-04  MOSFET Transistor, N Channel, 80 A, 30 V, 0.004 ohm, 10 V, 1.7 V


Online Components:
Trans MOSFET N-CH 30V 80A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube


Win Source:
MOSFET N-CH 30V 80A TO-220


STP80NF03L-04中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 30.0 V

额定电流 80.0 A

额定功率 300 W

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 0.004 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 300 W

阈值电压 1 V

漏源极电压Vds 30 V

漏源击穿电压 30 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 80.0 A

上升时间 270 ns

输入电容Ciss 5500pF @25VVds

额定功率Max 300 W

下降时间 95 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -65 ℃

耗散功率Max 300W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.4 mm

宽度 4.6 mm

高度 9.15 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Unknown

包装方式 Tube

制造应用 工业, 车用, Audio, Industrial, 电源管理, Power Management, Motor Drive & Control, Automotive, 电机驱动与控制, 音频

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买STP80NF03L-04
型号: STP80NF03L-04
描述:STMICROELECTRONICS  STP80NF03L-04  晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 30 V, 0.004 ohm, 10 V, 1 V
替代型号STP80NF03L-04
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