N 通道 STripFET™ H7 系列，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
N 通道 STripFET™ H7 系列，STMicroelectronics
STripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。
得捷:
MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-2
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MOSF N CH 100V 180A H2PAK-2
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MOSFET N-CH 100V 180A H2PAK-2
针脚数 3
漏源极电阻 0.0019 Ω
耗散功率 315 W
阈值电压 3.5 V
漏源极电压Vds 100 V
上升时间 108 ns
输入电容Ciss 12800pF @25VVds
额定功率Max 315 W
下降时间 40 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 315W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
长度 15.8 mm
宽度 10.4 mm
高度 4.8 mm
封装 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 医用
RoHS标准
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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