STW18NM60N

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STW18NM60N概述

STMICROELECTRONICS  STW18NM60N  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 13 A, 600 V, 0.26 ohm, 10 V, 3 V

通孔 N 通道 600 V 13A(Tc) 110W(Tc) TO-247


得捷:
MOSFET N-CH 600V 13A TO247-3


贸泽:
MOSFET N-channel 600 V 0.27ohms 13A Mdmesh


e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 13 A, 600 V, 0.26 ohm, 10 V, 3 V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube


安富利:
Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube


富昌:
STW18NM60N 系列 N 沟道 650 V 0.285 Ohm Mdmesh II 功率 MOSFet - TO-247-3


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube


Verical:
Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube


Newark:
# STMICROELECTRONICS  STW18NM60N  Power MOSFET, N Channel, 13 A, 600 V, 0.26 ohm, 10 V, 3 V


力源芯城:
600V,0.26Ω,13A,N沟道功率MOSFET


Win Source:
MOSFET N-CH 600V 13A TO-247


STW18NM60N中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 0.26 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 110 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 600 V

漏源击穿电压 600 V

连续漏极电流Ids 13A

上升时间 15 ns

输入电容Ciss 1000pF @50VVds

额定功率Max 110 W

下降时间 25 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 110W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买STW18NM60N
型号: STW18NM60N
描述:STMICROELECTRONICS  STW18NM60N  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 13 A, 600 V, 0.26 ohm, 10 V, 3 V
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