STP260N6F6

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STP260N6F6概述

STMICROELECTRONICS  STP260N6F6  晶体管, MOSFET, N沟道, 120 A, 60 V, 0.0024 ohm, 10 V, 2 V

N 通道 STripFET™ DeepGate™,STMicroelectronics

STripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。

### MOSFET ,STMicroelectronics


欧时:
### N 通道 STripFET™ DeepGate™,STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics


得捷:
MOSFET N-CH 60V 120A TO220


e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 60 V, 120 A, 0.0024 ohm, TO-220, 通孔


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube


安富利:
Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube


Verical:
Trans MOSFET N-CH 60V 120A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube


Newark:
# STMICROELECTRONICS  STP260N6F6  MOSFET Transistor, N Channel, 120 A, 60 V, 0.0024 ohm, 10 V, 2 V


力源芯城:
60V,2.4mΩ,120A,N沟道功率MOSFET


Win Source:
MOSFET N-CH 60V 120A TO220


STP260N6F6中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 0.0024 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 300 W

阈值电压 2 V

漏源极电压Vds 60 V

连续漏极电流Ids 120A

上升时间 165 ns

输入电容Ciss 11400pF @25VVds

额定功率Max 300 W

下降时间 62.6 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 300W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.4 mm

宽度 4.6 mm

高度 15.75 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买STP260N6F6
型号: STP260N6F6
描述:STMICROELECTRONICS  STP260N6F6  晶体管, MOSFET, N沟道, 120 A, 60 V, 0.0024 ohm, 10 V, 2 V
替代型号STP260N6F6
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

STP260N6F6

ST Microelectronics 意法半导体

当前型号

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