N 通道 MDmesh™ M5 系列，STMicroelectronicsMDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用，例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
N 通道 MDmesh™ M5 系列，STMicroelectronics
MDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用，例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。
得捷:
MOSFET N-CH 650V 12A D2PAK
欧时:
### N 通道 MDmesh™ M5 系列，STMicroelectronicsMDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用，例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 650V 12A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 650V 12A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 650V 12A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 650V 12A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
DeviceMart:
MOSFET N-CH 650V 12A D2PAK
Win Source:
MOSFET N-CH 650V 12A D2PAK
漏源极电阻 0.23 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 90 W
阈值电压 4 V
漏源极电压Vds 650 V
连续漏极电流Ids 12A
上升时间 7 ns
输入电容Ciss 1250pF @100VVds
额定功率Max 90 W
下降时间 8 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 90W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
长度 10.75 mm
宽度 10.4 mm
高度 4.6 mm
封装 TO-263-3
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Power Management, Industrial
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
STB16N65M5 ST Microelectronics 意法半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
STD16N65M5 意法半导体 | 完全替代 | STB16N65M5和STD16N65M5的区别 |
STB18N65M5 意法半导体 | 类似代替 | STB16N65M5和STB18N65M5的区别 |
SIHB15N60E-GE3 威世 | 功能相似 | STB16N65M5和SIHB15N60E-GE3的区别 |