STMICROELECTRONICS STD30NF06T4 晶体管, MOSFET, N沟道, 15 A, 60 V, 20 mohm, 10 V, 4 V
表面贴装型 N 通道 60 V 28A(Tc) 70W(Tc) DPAK
得捷:
MOSFET N-CH 60V 28A DPAK
贸泽:
MOSFET N-channel 60 V
艾睿:
This STD30NF06T4 power MOSFET from STMicroelectronics can be used for amplification in your circuit. Its maximum power dissipation is 70000 mW. This component will be shipped in tape and reel packaging for effective mounting and safe delivery. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 175 °C. This device utilizes stripfet ii technology.
安富利:
Trans MOSFET N-CH 60V 28A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
富昌:
STD30NF 系列 N 沟道 30 V 2O mΩ 28 A 43 nC STripFET II 功率 MosFet - TO-252
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 60V 28A Automotive 3-Pin2+Tab DPAK T/R
Verical:
Trans MOSFET N-CH 60V 28A Automotive 3-Pin2+Tab DPAK T/R
Newark:
# STMICROELECTRONICS STD30NF06T4 MOSFET Transistor, N Channel, 15 A, 60 V, 20 mohm, 10 V, 4 V
DeviceMart:
MOSFET N-CH 60V 28A DPAK
Win Source:
MOSFET N-CH 60V 28A DPAK
额定电压DC 60.0 V
额定电流 28.0 A
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 0.02 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 70 W
阈值电压 4 V
漏源极电压Vds 60 V
漏源击穿电压 60 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 28.0 A
上升时间 100 ns
输入电容Ciss 1750pF @25VVds
额定功率Max 70 W
下降时间 20 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 70W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
长度 6.6 mm
宽度 6.2 mm
高度 2.4 mm
封装 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Automotive, 车用
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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