STF22NM60N

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STF22NM60N概述

STMICROELECTRONICS  STF22NM60N  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 16 A, 600 V, 0.2 ohm, 10 V, 3 V

N 通道 MDmesh™,600V/650V,STMicroelectronics


得捷:
MOSFET N-CH 600V 16A TO220FP


立创商城:
N沟道 600V 16A


欧时:
STMicroelectronics MDmesh 系列 Si N沟道 MOSFET STF22NM60N, 16 A, Vds=600 V, 3引脚 TO-220FP封装


贸泽:
MOSFET N-channel 600 V 0.190 16A MDmesh


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube


安富利:
Trans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 10A; 30W; TO220FP


Verical:
Trans MOSFET N-CH 600V 16A 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube


Newark:
# STMICROELECTRONICS  STF22NM60N  MOSFET Transistor, N Channel, 16 A, 600 V, 0.2 ohm, 10 V, 3 V


儒卓力:
**N-CH 650V 16A 220mOhm TO220FP **


力源芯城:
600V,0.2Ω,16A,N沟道功率MOSFET


Win Source:
MOSFET N-CH 600V 16A TO-220FP


STF22NM60N中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.2 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 30 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 600 V

上升时间 18 ns

输入电容Ciss 1300pF @50VVds

额定功率Max 30 W

下降时间 38 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 30W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.4 mm

宽度 4.6 mm

高度 16.4 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

STF22NM60N引脚图与封装图
STF22NM60N引脚图
STF22NM60N封装焊盘图
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型号: STF22NM60N
描述:STMICROELECTRONICS  STF22NM60N  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 16 A, 600 V, 0.2 ohm, 10 V, 3 V
替代型号STF22NM60N
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