N 通道 STripFET™ II,STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
N 通道 STripFET™ II,STMicroelectronics
STripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。
得捷:
MOSFET N-CH 60V 60A DPAK
欧时:
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N沟道 60V 60A
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功率场效应管, MOSFET, N沟道, 60 V, 60 A, 0.014 ohm, TO-252 DPAK, 表面安装
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Trans MOSFET N-CH 60V 60A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
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Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 42A; 110W; DPAK
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**N-CH 60V 60A 14mOhm TO252-3 **
DeviceMart:
MOSFET N-CH 60V 60A DPAK
Win Source:
MOSFET N-CH 60V 60A DPAK
针脚数 3
漏源极电阻 0.014 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 110 W
阈值电压 4 V
漏源极电压Vds 60 V
漏源击穿电压 60.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 60.0 A
上升时间 108 ns
输入电容Ciss 1810pF @25VVds
额定功率Max 110 W
下降时间 20 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 110W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
长度 6.6 mm
宽度 6.2 mm
高度 2.4 mm
封装 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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