STD60NF06T4

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STD60NF06T4概述

N 通道 STripFET™ II,STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics

N 通道 STripFET™ II,STMicroelectronics

STripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。


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MOSFET N-CH 60V 60A DPAK


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STD60NF06T4中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.014 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 110 W

阈值电压 4 V

漏源极电压Vds 60 V

漏源击穿电压 60.0 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 60.0 A

上升时间 108 ns

输入电容Ciss 1810pF @25VVds

额定功率Max 110 W

下降时间 20 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 110W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-252-3

外形尺寸

长度 6.6 mm

宽度 6.2 mm

高度 2.4 mm

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

STD60NF06T4引脚图与封装图
STD60NF06T4引脚图
STD60NF06T4封装图
STD60NF06T4封装焊盘图
在线购买STD60NF06T4
型号: STD60NF06T4
描述:N 通道 STripFET™ II,STMicroelectronics STripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。 ### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
替代型号STD60NF06T4
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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当前型号

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