STL8N10F7

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STL8N10F7概述

N 沟道 100 V 8 A 20 mOhm STripFET VII DeepGATE 功率 Mosfet - PowerFLAT 3.3 x 3.3

N-Channel 100V 35A Tc 3.5W Ta, 50W Tc Surface Mount PowerFlat™ 3.3x3.3


得捷:
MOSFET N-CH 100V POWERFLAT


贸泽:
MOSFET N-channel 100 V, 0.017 Ohm typ., 35 A STripFET F7 Power MOSFET in a PowerFLAT 3.3x3.3 package


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 100V 8A 8-Pin Power Flat EP T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 100V 8A 8-Pin PowerFLAT T/R


富昌:
N 沟道 100 V 8 A 20 mOhm STripFET VII DeepGATE 功率 Mosfet - PowerFLAT 3.3 x 3.3


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 100V 8A 8-Pin Power Flat EP T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH 100V 8A 8-Pin Power Flat EP T/R


Win Source:
MOSFET N-CH 100V POWERFLAT / N-Channel 100 V 35A Tc 3.5W Ta, 50W Tc Surface Mount PowerFlat™ 3.3x3.3


STL8N10F7中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

针脚数 8

漏源极电阻 0.017 Ω

耗散功率 50 W

阈值电压 4.5 V

漏源极电压Vds 100 V

上升时间 17 ns

输入电容Ciss 2000pF @50VVds

额定功率Max 50 W

下降时间 8 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 3.5W Ta, 50W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 PowerFLAT-8

外形尺寸

高度 0.95 mm

封装 PowerFLAT-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 医用

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买STL8N10F7
型号: STL8N10F7
描述:N 沟道 100 V 8 A 20 mOhm STripFET VII DeepGATE 功率 Mosfet - PowerFLAT 3.3 x 3.3

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