STMICROELECTRONICS STP30N65M5 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 22 A, 650 V, 0.125 ohm, 10 V, 4 V
通孔 N 通道 650 V 22A（Tc） 140W（Tc） TO-220AB
得捷:
MOSFET N-CH 650V 22A TO220AB
e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 22 A, 650 V, 0.125 ohm, 10 V, 4 V
艾睿:
Trans MOSFET N-CH Si 650V 22A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube
安富利:
Trans MOSFET N-CH 650V 22A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube
富昌:
N-Channel 650 V 0.139 Ohm MDmesh V Power Mosfet - TO-220
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 650V 22A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube
Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 650V 22A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube
针脚数 3
漏源极电阻 0.125 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 140 W
阈值电压 4 V
漏源极电压Vds 650 V
连续漏极电流Ids 22A
上升时间 8 ns
输入电容Ciss 2880pF @100VVds
额定功率Max 140 W
下降时间 10 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 140W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
封装 TO-220-3
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
制造应用 电源管理, Industrial, Power Management, 工业
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
STP30N65M5 ST Microelectronics 意法半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
STB30N65M5 意法半导体 | 完全替代 | STP30N65M5和STB30N65M5的区别 |
STI30N65M5 意法半导体 | 完全替代 | STP30N65M5和STI30N65M5的区别 |
SIHP24N65E-GE3 威世 | 功能相似 | STP30N65M5和SIHP24N65E-GE3的区别 |