STB33N60DM2

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STB33N60DM2概述

STMICROELECTRONICS  STB33N60DM2  Power MOSFET, Mdmesh DM2, N Channel, 24 A, 600 V, 0.11 ohm, 10 V, 4 V 新

N 通道 MDmesh DM2 系列,STMicroelectronics

MDmesh DM2 MOSFET 提供低 RDSon 和改进的二极管反向恢复时间,可提高效率,此系列经优化可用于全桥相移 ZVS 拓扑。

高 dV/dt 能力,可提高系统可靠性

符合 AEC-Q101


得捷:
MOSFET N-CH 600V 24A D2PAK


欧时:
### N 通道 MDmesh DM2 系列,STMicroelectronicsMDmesh DM2 MOSFET 提供低 RDSon 和改进的二极管反向恢复时间,可提高效率,此系列经优化可用于全桥相移 ZVS 拓扑。高 dV/dt 能力,可提高系统可靠性 符合 AEC-Q101 ### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics


e络盟:
晶体管, MOSFET, Mdmesh DM2, N沟道, 24 A, 600 V, 0.11 ohm, 10 V, 4 V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 600V 24A 3-Pin D2PAK T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH 600V 24A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


Newark:
# STMICROELECTRONICS  STB33N60DM2  MOSFET, N-CH, 600V, 24A, TO-263


Win Source:
MOSFET N-CH 600V 24A D2PAK / N-Channel 600 V 24A Tc 190W Tc Surface Mount D²PAK TO-263


STB33N60DM2中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.11 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 190 W

阈值电压 4 V

漏源极电压Vds 600 V

连续漏极电流Ids 25A

输入电容Ciss 1870pF @100VVds

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 190W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 10.4 mm

宽度 9.35 mm

高度 4.6 mm

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 无铅

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买STB33N60DM2
型号: STB33N60DM2
描述:STMICROELECTRONICS  STB33N60DM2  Power MOSFET, Mdmesh DM2, N Channel, 24 A, 600 V, 0.11 ohm, 10 V, 4 V 新

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