STMICROELECTRONICS STB33N60DM2 Power MOSFET, Mdmesh DM2, N Channel, 24 A, 600 V, 0.11 ohm, 10 V, 4 V 新
N 通道 MDmesh DM2 系列,STMicroelectronics
MDmesh DM2 MOSFET 提供低 RDSon 和改进的二极管反向恢复时间,可提高效率,此系列经优化可用于全桥相移 ZVS 拓扑。
高 dV/dt 能力,可提高系统可靠性
符合 AEC-Q101
得捷:
MOSFET N-CH 600V 24A D2PAK
欧时:
### N 通道 MDmesh DM2 系列,STMicroelectronicsMDmesh DM2 MOSFET 提供低 RDSon 和改进的二极管反向恢复时间,可提高效率,此系列经优化可用于全桥相移 ZVS 拓扑。高 dV/dt 能力,可提高系统可靠性 符合 AEC-Q101 ### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
e络盟:
晶体管, MOSFET, Mdmesh DM2, N沟道, 24 A, 600 V, 0.11 ohm, 10 V, 4 V
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 25A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 600V 24A 3-Pin D2PAK T/R
Verical:
Trans MOSFET N-CH 600V 24A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
Newark:
# STMICROELECTRONICS STB33N60DM2 MOSFET, N-CH, 600V, 24A, TO-263
Win Source:
MOSFET N-CH 600V 24A D2PAK / N-Channel 600 V 24A Tc 190W Tc Surface Mount D²PAK TO-263
针脚数 3
漏源极电阻 0.11 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 190 W
阈值电压 4 V
漏源极电压Vds 600 V
连续漏极电流Ids 25A
输入电容Ciss 1870pF @100VVds
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 190W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
长度 10.4 mm
宽度 9.35 mm
高度 4.6 mm
封装 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 无铅
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99