STP80NF55-06

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STP80NF55-06概述

STMICROELECTRONICS  STP80NF55-06  晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 55 V, 6.5 mohm, 10 V, 3 V

N 通道 STripFET™ II,STMicroelectronics

STripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。


立创商城:
N沟道 55V 80A


得捷:
MOSFET N-CH 55V 80A TO220AB


欧时:
N 通道 STripFET™ II,STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics


e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 55 V, 80 A, 0.0065 ohm, TO-220, 通孔


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 55V 80A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube


安富利:
Trans MOSFET N-CH 55V 80A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 55V 80A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 80A; 300W; TO220-3


Verical:
Trans MOSFET N-CH 55V 80A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube


Newark:
MOSFET Transistor, N Channel, 80 A, 55 V, 6.5 mohm, 10 V, 3 V


Win Source:
MOSFET N-CH 55V 80A TO-220


STP80NF55-06中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 55.0 V

额定电流 80.0 A

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 0.0065 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 300 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 55 V

漏源击穿电压 55.0 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 80.0 A

上升时间 155 ns

输入电容Ciss 4400pF @25VVds

额定功率Max 300 W

下降时间 65 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 300W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.4 mm

宽度 4.6 mm

高度 9.15 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

制造应用 Industrial, 工业

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

数据手册

STP80NF55-06引脚图与封装图
STP80NF55-06引脚图
STP80NF55-06封装图
STP80NF55-06封装焊盘图
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型号: STP80NF55-06
描述:STMICROELECTRONICS  STP80NF55-06  晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 55 V, 6.5 mohm, 10 V, 3 V
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ST Microelectronics 意法半导体

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