STMICROELECTRONICS STP80NF55-06 晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 55 V, 6.5 mohm, 10 V, 3 V
N 通道 STripFET™ II,STMicroelectronics
STripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。
立创商城:
N沟道 55V 80A
得捷:
MOSFET N-CH 55V 80A TO220AB
欧时:
N 通道 STripFET™ II,STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 55 V, 80 A, 0.0065 ohm, TO-220, 通孔
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 55V 80A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube
安富利:
Trans MOSFET N-CH 55V 80A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 55V 80A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 55V; 80A; 300W; TO220-3
Verical:
Trans MOSFET N-CH 55V 80A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube
Newark:
MOSFET Transistor, N Channel, 80 A, 55 V, 6.5 mohm, 10 V, 3 V
Win Source:
MOSFET N-CH 55V 80A TO-220
额定电压DC 55.0 V
额定电流 80.0 A
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 0.0065 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 300 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 55 V
漏源击穿电压 55.0 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 80.0 A
上升时间 155 ns
输入电容Ciss 4400pF @25VVds
额定功率Max 300 W
下降时间 65 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 300W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.4 mm
宽度 4.6 mm
高度 9.15 mm
封装 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
制造应用 Industrial, 工业
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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