

















STMICROELECTRONICS STW13NK100Z 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 13 A, 1 kV, 700 mohm, 10 V, 3.75 V
N 通道 MDmesh™ SuperMESH™,700V 至 1200V,STMicroelectronics
### MOSFET ,STMicroelectronics
立创商城:
N沟道 1kV 13A
得捷:
MOSFET N-CH 1000V 13A TO247-3
欧时:
STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 Si N沟道 MOSFET STW13NK100Z, 13 A, Vds=1000 V, 3引脚 TO-247封装
贸泽:
MOSFET N-Ch 1000 Volt 13A Zener SuperMESH
艾睿:
Increase the current or voltage in your circuit with this STW13NK100Z power MOSFET from STMicroelectronics. Its maximum power dissipation is 350000 mW. In order to ensure parts aren&s;t damaged by bulk packaging, this product comes in tube packaging to add a little more protection by storing the loose parts in an outer tube. This MOSFET transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C. This device is made with supermesh technology. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode.
安富利:
Trans MOSFET N-CH 1KV 13A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 1000V; 8.2A; 350W; TO247
Verical:
Trans MOSFET N-CH 1KV 13A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube
Newark:
Power MOSFET, N Channel, 13 A, 1 kV, 700 mohm, 10 V, 3.75 V
儒卓力:
**N-CH 1kV 13A 700mOhm TO247-3 **
DeviceMart:
MOSFET N-CH 1KV 13A TO-247
Win Source:
MOSFET N-CH 1KV 13A TO-247
额定电压DC 1.00 kV
额定电流 13.0 A
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 700 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 350 W
阈值电压 3.75 V
漏源极电压Vds 1 kV
漏源击穿电压 1000 V
栅源击穿电压 ±30.0 V
连续漏极电流Ids 13.0 A
上升时间 35 ns
输入电容Ciss 6000pF @25VVds
额定功率Max 350 W
下降时间 45 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 350W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
长度 15.75 mm
宽度 5.15 mm
高度 20.15 mm
封装 TO-247-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
制造应用 Industrial, 电源管理, 工业, Industrial, Power Management, Power Management
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2014/06/16
ECCN代码 EAR99



| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
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