STFI13N65M2

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STFI13N65M2概述

N沟道 650V 10A

N-Channel 650V 10A Tc 25W Tc Through Hole I2PAKFP TO-281


得捷:
MOSFET N-CH 650V 10A I2PAKFP


立创商城:
N沟道 650V 10A


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 650V 10A 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube


Verical:
Trans MOSFET N-CH 650V 10A 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube


STFI13N65M2中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 25 W

漏源极电压Vds 650 V

连续漏极电流Ids 10A

上升时间 7.8 ns

输入电容Ciss 590pF @100VVds

下降时间 12 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 25W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-262-3

外形尺寸

封装 TO-262-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准

含铅标准 无铅

数据手册

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型号: STFI13N65M2
描述:N沟道 650V 10A
替代型号STFI13N65M2
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STFI13N65M2

ST Microelectronics 意法半导体

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完全替代

STFI13N65M2和STF13N65M2的区别

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