STP80N6F6

STP80N6F6图片1
STP80N6F6图片2
STP80N6F6图片3
STP80N6F6图片4
STP80N6F6图片5
STP80N6F6图片6
STP80N6F6图片7
STP80N6F6图片8
STP80N6F6图片9
STP80N6F6图片10
STP80N6F6图片11
STP80N6F6图片12
STP80N6F6图片13
STP80N6F6图片14
STP80N6F6概述

N 通道 STripFET™ DeepGate™,STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics

N 通道 STripFET™ DeepGate™,STMicroelectronics

STripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。

### MOSFET ,STMicroelectronics


得捷:
MOSFET N-CH 60V 110A TO220


立创商城:
N沟道 60V 110A


欧时:
### N 通道 STripFET™ DeepGate™,STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 60V 80A Automotive 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube


安富利:
Trans MOSFET N-CH 60V 110A 3-Pin TO-220 Tube


富昌:
STP80N6F6 系列 60 V 110 A 5.8 mOhm N沟道 功率 MOSFET - TO-220-3


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 60V 80A Automotive 3-Pin3+Tab TO-220 Tube


Verical:
Trans MOSFET N-CH 60V 80A Automotive 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube


Win Source:
MOSFET N-CH 60V TO-220


STP80N6F6中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 120 W

漏源极电压Vds 60 V

上升时间 71 ns

输入电容Ciss 7480pF @25VVds

额定功率Max 150 W

下降时间 40 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 120W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.4 mm

宽度 4.6 mm

高度 15.75 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买STP80N6F6
型号: STP80N6F6
描述:N 通道 STripFET™ DeepGate™,STMicroelectronics STripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。 ### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台