STB35N 系列 N 沟道 710 V 27 A 98 mOhm 160 W 功率 Mosfet - D2PAK
N 通道 MDmesh™ M5 系列,STMicroelectronics
MDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用,例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。
得捷:
MOSFET N-CH 650V 27A D2PAK
欧时:
STMicroelectronics MDmesh M5 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STB35N65M5, 27 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-263封装
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 650V 27A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 650V 27A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 650V 27A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 650V 27A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
DeviceMart:
MOSFET N-CH 650V 27A D2PAK
漏源极电阻 0.085 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 160 W
阈值电压 4 V
漏源极电压Vds 650 V
连续漏极电流Ids 27A
上升时间 12 ns
输入电容Ciss 3750pF @100VVds
额定功率Max 160 W
下降时间 16 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 160W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
长度 10.75 mm
宽度 10.4 mm
高度 4.6 mm
封装 TO-263-3
材质 Silicon
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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STB35N65M5 ST Microelectronics 意法半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
STB38N65M5 意法半导体 | 类似代替 | STB35N65M5和STB38N65M5的区别 |