STB35N65M5

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STB35N65M5概述

STB35N 系列 N 沟道 710 V 27 A 98 mOhm 160 W 功率 Mosfet - D2PAK

N 通道 MDmesh™ M5 系列,STMicroelectronics

MDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用,例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。


得捷:
MOSFET N-CH 650V 27A D2PAK


欧时:
STMicroelectronics MDmesh M5 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 STB35N65M5, 27 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-263封装


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 650V 27A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


安富利:
Trans MOSFET N-CH 650V 27A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 650V 27A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH Si 650V 27A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


DeviceMart:
MOSFET N-CH 650V 27A D2PAK


STB35N65M5中文资料参数规格
技术参数

漏源极电阻 0.085 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 160 W

阈值电压 4 V

漏源极电压Vds 650 V

连续漏极电流Ids 27A

上升时间 12 ns

输入电容Ciss 3750pF @100VVds

额定功率Max 160 W

下降时间 16 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 160W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 10.75 mm

宽度 10.4 mm

高度 4.6 mm

封装 TO-263-3

物理参数

材质 Silicon

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买STB35N65M5
型号: STB35N65M5
描述:STB35N 系列 N 沟道 710 V 27 A 98 mOhm 160 W 功率 Mosfet - D2PAK
替代型号STB35N65M5
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