STMICROELECTRONICS STL65N3LLH5 晶体管, MOSFET, N沟道, 9.5 A, 30 V, 4.8 mohm, 10 V, 1 V
N 通道 STripFET™ V,STMicroelectronics
STripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。
得捷:
MOSFET N-CH 30V 19A POWERFLAT6X5
欧时:
### N 通道 STripFET™ V,STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
e络盟:
STMICROELECTRONICS STL65N3LLH5 晶体管, MOSFET, N沟道, 9.5 A, 30 V, 4.8 mohm, 10 V, 1 V
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 65A 8-Pin Power Flat T/R
富昌:
STL65N3LLH5系列 N沟道 30 V 0.0058 Ohm STripFET™ V MosFet - PowerFLAT
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 30V 65A 8-Pin Power Flat T/R
Verical:
Trans MOSFET N-CH 30V 65A 8-Pin Power Flat T/R
DeviceMart:
MOSFET N-CH 30V 19A POWERFLAT6X5
Win Source:
MOSFET N-CH 30V 19A POWERFLAT6X5
针脚数 8
漏源极电阻 4.8 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 60 W
阈值电压 1 V
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 9.50 A
上升时间 14.5 ns
输入电容Ciss 1500pF @25VVds
额定功率Max 4 W
下降时间 4.5 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 60W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 PowerVDFN-8
长度 4.75 mm
宽度 5.75 mm
高度 0.88 mm
封装 PowerVDFN-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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