STL65N3LLH5

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STL65N3LLH5概述

STMICROELECTRONICS  STL65N3LLH5  晶体管, MOSFET, N沟道, 9.5 A, 30 V, 4.8 mohm, 10 V, 1 V

N 通道 STripFET™ V,STMicroelectronics

STripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。


得捷:
MOSFET N-CH 30V 19A POWERFLAT6X5


欧时:
### N 通道 STripFET™ V,STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics


e络盟:
STMICROELECTRONICS  STL65N3LLH5  晶体管, MOSFET, N沟道, 9.5 A, 30 V, 4.8 mohm, 10 V, 1 V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 65A 8-Pin Power Flat T/R


富昌:
STL65N3LLH5系列 N沟道 30 V 0.0058 Ohm STripFET™ V MosFet - PowerFLAT


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 30V 65A 8-Pin Power Flat T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH 30V 65A 8-Pin Power Flat T/R


DeviceMart:
MOSFET N-CH 30V 19A POWERFLAT6X5


Win Source:
MOSFET N-CH 30V 19A POWERFLAT6X5


STL65N3LLH5中文资料参数规格
技术参数

针脚数 8

漏源极电阻 4.8 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 60 W

阈值电压 1 V

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 9.50 A

上升时间 14.5 ns

输入电容Ciss 1500pF @25VVds

额定功率Max 4 W

下降时间 4.5 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 60W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 PowerVDFN-8

外形尺寸

长度 4.75 mm

宽度 5.75 mm

高度 0.88 mm

封装 PowerVDFN-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

在线购买STL65N3LLH5
型号: STL65N3LLH5
描述:STMICROELECTRONICS  STL65N3LLH5  晶体管, MOSFET, N沟道, 9.5 A, 30 V, 4.8 mohm, 10 V, 1 V
替代型号STL65N3LLH5
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