STW55NM60N

STW55NM60N图片1
STW55NM60N图片2
STW55NM60N图片3
STW55NM60N图片4
STW55NM60N图片5
STW55NM60N概述

TO-247 N-CH 600V 51A

通孔 N 通道 51A(Tc) 350W(Tc) TO-247-3


得捷:
MOSFET N-CH 600V 51A TO247-3


艾睿:
Thanks to STMicroelectronics, both your amplification and switching needs can be taken care of with one component: the STW55NM60N power MOSFET. Its maximum power dissipation is 350000 mW. In order to ensure parts aren&s;t damaged by bulk packaging, this product comes in tube packaging to add a little more protection by storing the loose parts in an outer tube. This MOSFET transistor has a minimum operating temperature of -55 °C and a maximum of 150 °C. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This device is made with mdmesh technology.


Win Source:
MOSFET N-CH 600V 51A TO-247


STW55NM60N中文资料参数规格
技术参数

极性 N-Channel

耗散功率 350W Tc

漏源极电压Vds 600 V

连续漏极电流Ids 25.5 A

上升时间 30 ns

输入电容Ciss 5800pF @50VVds

额定功率Max 350 W

下降时间 70 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 350W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Not Recommended for New Designs

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买STW55NM60N
型号: STW55NM60N
描述:TO-247 N-CH 600V 51A
替代型号STW55NM60N
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

STW55NM60N

ST Microelectronics 意法半导体

当前型号

当前型号

STW60N65M5

意法半导体

类似代替

STW55NM60N和STW60N65M5的区别

STW56NM60N

意法半导体

类似代替

STW55NM60N和STW56NM60N的区别

STFW60N65M5

意法半导体

功能相似

STW55NM60N和STFW60N65M5的区别

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台