STP7NM80

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STP7NM80概述

STMICROELECTRONICS  STP7NM80  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 3.25 A, 800 V, 950 mohm, 10 V, 4 V

N 通道 MDmesh™,800V/1500V,STMicroelectronics

### MOSFET ,STMicroelectronics


得捷:
MOSFET N-CH 800V 6.5A TO220-3


欧时:
### N 通道 MDmesh™,800V/1500V,STMicroelectronics### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics


e络盟:
STMICROELECTRONICS  STP7NM80  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 3.25 A, 800 V, 950 mohm, 10 V, 4 V


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 800V 6.5A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube


安富利:
Trans MOSFET N-CH 800V 6.5A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4A; 90W; TO220-3


Verical:
Trans MOSFET N-CH 800V 6.5A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube


Newark:
# STMICROELECTRONICS  STP7NM80  Power MOSFET, N Channel, 3.25 A, 800 V, 950 mohm, 10 V, 4 V


力源芯城:
800V,6.5A,N沟道功率MOSFET


Win Source:
MOSFET N-CH 800V 6.5A TO-220


STP7NM80中文资料参数规格
技术参数

针脚数 3

漏源极电阻 0.95 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 90 W

阈值电压 4 V

输入电容 620 pF

漏源极电压Vds 800 V

连续漏极电流Ids 3.25 A

上升时间 8 ns

输入电容Ciss 620pF @25VVds

额定功率Max 90 W

下降时间 10 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 90W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.4 mm

宽度 4.6 mm

高度 15.75 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

制造应用 Industrial, Power Management

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

STP7NM80引脚图与封装图
STP7NM80引脚图
STP7NM80封装图
STP7NM80封装焊盘图
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型号: STP7NM80
描述:STMICROELECTRONICS  STP7NM80  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 3.25 A, 800 V, 950 mohm, 10 V, 4 V
替代型号STP7NM80
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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ST Microelectronics 意法半导体

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功能相似

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