










STMICROELECTRONICS STP7NM80 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 3.25 A, 800 V, 950 mohm, 10 V, 4 V
N 通道 MDmesh™,800V/1500V,STMicroelectronics
### MOSFET ,STMicroelectronics
得捷:
MOSFET N-CH 800V 6.5A TO220-3
欧时:
### N 通道 MDmesh™,800V/1500V,STMicroelectronics### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
e络盟:
STMICROELECTRONICS STP7NM80 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 3.25 A, 800 V, 950 mohm, 10 V, 4 V
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 800V 6.5A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube
安富利:
Trans MOSFET N-CH 800V 6.5A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 800V; 4A; 90W; TO220-3
Verical:
Trans MOSFET N-CH 800V 6.5A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube
Newark:
# STMICROELECTRONICS STP7NM80 Power MOSFET, N Channel, 3.25 A, 800 V, 950 mohm, 10 V, 4 V
力源芯城:
800V,6.5A,N沟道功率MOSFET
Win Source:
MOSFET N-CH 800V 6.5A TO-220
针脚数 3
漏源极电阻 0.95 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 90 W
阈值电压 4 V
输入电容 620 pF
漏源极电压Vds 800 V
连续漏极电流Ids 3.25 A
上升时间 8 ns
输入电容Ciss 620pF @25VVds
额定功率Max 90 W
下降时间 10 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 90W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.4 mm
宽度 4.6 mm
高度 15.75 mm
封装 TO-220-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
制造应用 Industrial, Power Management
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17



| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
STP7NM80 ST Microelectronics 意法半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
STD7NM80 意法半导体 | 完全替代 | STP7NM80和STD7NM80的区别 |
STF7NM80 意法半导体 | 类似代替 | STP7NM80和STF7NM80的区别 |
STD7NM80-1 意法半导体 | 功能相似 | STP7NM80和STD7NM80-1的区别 |