STB13NK 系列 N 沟道 600 Vds 13 A 550 mOhm 150 W 二极管保护 Mosfet - D2Pak
N 通道 MDmesh™ SuperMESH™，250V 至 650V，STMicroelectronics
得捷:
MOSFET N-CH 600V 13A D2PAK
欧时:
STMicroelectronics MDmesh, SuperMESH 系列 Si N沟道 MOSFET STB13NK60ZT4, 13 A, Vds=600 V, 3引脚
贸泽:
MOSFET N-Ch 600 Volt 13 Amp Zener SuperMESH
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
富昌:
STB13NK 系列 600 V 550 mOhm 150 W N 沟道 齐纳 保护 Mosfet - D2Pak
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 8.2A; 150W; D2PAK
Verical:
Trans MOSFET N-CH 600V 13A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
DeviceMart:
MOSFET N-CH 600V 13A D2PAK
Win Source:
MOSFET N-CH 600V 13A D2PAK
额定电压DC 600 V
额定电流 13.0 A
通道数 1
漏源极电阻 550 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 150 W
漏源极电压Vds 600 V
漏源击穿电压 600 V
栅源击穿电压 ±30.0 V
连续漏极电流Ids 4.50 A
上升时间 14 ns
输入电容Ciss 2030pF @25VVds
额定功率Max 150 W
下降时间 12 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 150W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
长度 10.4 mm
宽度 9.35 mm
高度 4.6 mm
封装 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
STB13NK60ZT4 ST Microelectronics 意法半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
IXFA14N60P IXYS Semiconductor | 功能相似 | STB13NK60ZT4和IXFA14N60P的区别 |
FQB12N60CTM 飞兆/仙童 | 功能相似 | STB13NK60ZT4和FQB12N60CTM的区别 |
STB13NK60Z 意法半导体 | 功能相似 | STB13NK60ZT4和STB13NK60Z的区别 |