STW14NK50Z

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STW14NK50Z概述

STMICROELECTRONICS  STW14NK50Z  晶体管, MOSFET, N沟道, 14 A, 500 V, 0.34 ohm, 10 V, 3.75 V

N 通道 MDmesh™ SuperMESH™,250V 至 650V,STMicroelectronics


得捷:
MOSFET N-CH 500V 14A TO247-3


立创商城:
N沟道 500V 14A


欧时:
### N 通道 MDmesh™ SuperMESH™,250V 至 650V,STMicroelectronics![http://china.rs-online.com/largeimages/LBIPOLAR-10.gif]http://china.rs-online.com/largeimages/LBIPOLAR-10.gif ### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 500V 14A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube


安富利:
Trans MOSFET N-CH 500V 14A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube


富昌:
N-沟道 500 V 14 A 380 mOhm 法兰安装 MDmesh™ K5 功率 Mosfet -TO-247


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 500V 14A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 14A; 150W; TO247


Verical:
Trans MOSFET N-CH 500V 14A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube


Newark:
# STMICROELECTRONICS  STW14NK50Z  MOSFET Transistor, N Channel, 14 A, 500 V, 0.34 ohm, 10 V, 3.75 V


儒卓力:
**N-CH 500V 14A 380mOhm TO247-3 **


力源芯城:
500V,14A,齐纳保护SuperMESHTM功率MOSFET


DeviceMart:
MOSFET N-CH 500V 14A TO-247


Win Source:
MOSFET N-CH 500V 14A TO-247


STW14NK50Z中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 500 V

额定电流 14.0 A

额定功率 150 W

针脚数 3

漏源极电阻 0.34 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 150 W

阈值电压 3.75 V

输入电容 2000 pF

漏源极电压Vds 500 V

漏源击穿电压 500 V

栅源击穿电压 ±30.0 V

连续漏极电流Ids 14.0 A

上升时间 16 ns

输入电容Ciss 2000pF @25VVds

额定功率Max 150 W

下降时间 12 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 150W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

长度 15.75 mm

宽度 5.15 mm

高度 20.15 mm

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

制造应用 Power Management, 电源管理, 工业, Industrial

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

海关信息

ECCN代码 EAR99

香港进出口证 NLR

数据手册

STW14NK50Z引脚图与封装图
STW14NK50Z引脚图
STW14NK50Z封装图
STW14NK50Z封装焊盘图
在线购买STW14NK50Z
型号: STW14NK50Z
描述:STMICROELECTRONICS  STW14NK50Z  晶体管, MOSFET, N沟道, 14 A, 500 V, 0.34 ohm, 10 V, 3.75 V
替代型号STW14NK50Z
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