STMICROELECTRONICS STW14NK50Z 晶体管, MOSFET, N沟道, 14 A, 500 V, 0.34 ohm, 10 V, 3.75 V
N 通道 MDmesh™ SuperMESH™,250V 至 650V,STMicroelectronics
得捷:
MOSFET N-CH 500V 14A TO247-3
立创商城:
N沟道 500V 14A
欧时:
### N 通道 MDmesh™ SuperMESH™,250V 至 650V,STMicroelectronics![http://china.rs-online.com/largeimages/LBIPOLAR-10.gif]http://china.rs-online.com/largeimages/LBIPOLAR-10.gif ### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 500V 14A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube
安富利:
Trans MOSFET N-CH 500V 14A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube
富昌:
N-沟道 500 V 14 A 380 mOhm 法兰安装 MDmesh™ K5 功率 Mosfet -TO-247
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 500V 14A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 500V; 14A; 150W; TO247
Verical:
Trans MOSFET N-CH 500V 14A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube
Newark:
# STMICROELECTRONICS STW14NK50Z MOSFET Transistor, N Channel, 14 A, 500 V, 0.34 ohm, 10 V, 3.75 V
儒卓力:
**N-CH 500V 14A 380mOhm TO247-3 **
力源芯城:
500V,14A,齐纳保护SuperMESHTM功率MOSFET
DeviceMart:
MOSFET N-CH 500V 14A TO-247
Win Source:
MOSFET N-CH 500V 14A TO-247
额定电压DC 500 V
额定电流 14.0 A
额定功率 150 W
针脚数 3
漏源极电阻 0.34 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 150 W
阈值电压 3.75 V
输入电容 2000 pF
漏源极电压Vds 500 V
漏源击穿电压 500 V
栅源击穿电压 ±30.0 V
连续漏极电流Ids 14.0 A
上升时间 16 ns
输入电容Ciss 2000pF @25VVds
额定功率Max 150 W
下降时间 12 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 150W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
长度 15.75 mm
宽度 5.15 mm
高度 20.15 mm
封装 TO-247-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
制造应用 Power Management, 电源管理, 工业, Industrial
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
ECCN代码 EAR99
香港进出口证 NLR
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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