

















STMICROELECTRONICS STP45N65M5 功率场效应管, MOSFET, N沟道, 35 A, 650 V, 0.067 ohm, 10 V, 4 V
N 通道 MDmesh™ M5 系列,STMicroelectronics
MDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用,例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。
欧时:
### N 通道 MDmesh™ M5 系列,STMicroelectronicsMDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用,例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
得捷:
MOSFET N-CH 650V 35A TO220
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 650V 35A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube
安富利:
Trans MOSFET N-CH 650V 35A 3-Pin3+Tab TO-220 T/R
富昌:
STx45N65M5 系列 N 沟道 650 V 78 mΩ MDmesh™ V 功率 MOSFET - TO-220
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 650V 35A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 22A; 210W; TO220-3
Verical:
Trans MOSFET N-CH 650V 35A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube
力源芯城:
650V,35A,N沟道MOSFET
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 0.067 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 210 W
阈值电压 4 V
输入电容 3470 pF
漏源极电压Vds 650 V
输入电容Ciss 3375pF @100VVds
额定功率Max 208 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 210W Tc
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.4 mm
宽度 4.6 mm
高度 15.75 mm
封装 TO-220-3
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
制造应用 工业, ??, Industrial
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17


