STP45N65M5

STP45N65M5图片1
STP45N65M5图片2
STP45N65M5图片3
STP45N65M5图片4
STP45N65M5图片5
STP45N65M5图片6
STP45N65M5图片7
STP45N65M5图片8
STP45N65M5图片9
STP45N65M5图片10
STP45N65M5图片11
STP45N65M5图片12
STP45N65M5图片13
STP45N65M5图片14
STP45N65M5图片15
STP45N65M5图片16
STP45N65M5图片17
STP45N65M5图片18
STP45N65M5概述

STMICROELECTRONICS  STP45N65M5  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 35 A, 650 V, 0.067 ohm, 10 V, 4 V

N 通道 MDmesh™ M5 系列,STMicroelectronics

MDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用,例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。


欧时:
### N 通道 MDmesh™ M5 系列,STMicroelectronicsMDmesh M5 功率 MOSFET 优化用于高功率 PFC 和 PWM 拓扑。 主要特征包括每硅面积的低通态损耗硅片面积与低栅极电荷。 它们设计用于节能、紧凑型且可靠的硬切换应用,例如太阳能转换器、消费产品电源和电子照明控制。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics


得捷:
MOSFET N-CH 650V 35A TO220


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 650V 35A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube


安富利:
Trans MOSFET N-CH 650V 35A 3-Pin3+Tab TO-220 T/R


富昌:
STx45N65M5 系列 N 沟道 650 V 78 mΩ MDmesh™ V 功率 MOSFET - TO-220


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 650V 35A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 650V; 22A; 210W; TO220-3


Verical:
Trans MOSFET N-CH 650V 35A 3-Pin3+Tab TO-220AB Tube


力源芯城:
650V,35A,N沟道MOSFET


STP45N65M5中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 0.067 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 210 W

阈值电压 4 V

输入电容 3470 pF

漏源极电压Vds 650 V

输入电容Ciss 3375pF @100VVds

额定功率Max 208 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 210W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.4 mm

宽度 4.6 mm

高度 15.75 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

制造应用 工业, ??, Industrial

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

STP45N65M5引脚图与封装图
STP45N65M5引脚图
STP45N65M5封装图
STP45N65M5封装焊盘图
在线购买STP45N65M5
型号: STP45N65M5
描述:STMICROELECTRONICS  STP45N65M5  功率场效应管, MOSFET, N沟道, 35 A, 650 V, 0.067 ohm, 10 V, 4 V

 锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台  

 深圳锐单电子有限公司