STS10P3LLH6

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STS10P3LLH6概述

SO P-CH 30V 12.5A

P-Channel 30V 10A Ta 2.7W Ta Surface Mount 8-SO


得捷:
MOSFET P-CH 30V 10A 8SO


贸泽:
MOSFET P-channel -30 V, 0.01 Ohm typ., -12.5 A, STripFET H6 Power MOSFET in a SO-8 package


艾睿:
Increase the current or voltage in your circuit with this STS10P3LLH6 power MOSFET from STMicroelectronics. Its maximum power dissipation is 2700 mW. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C. This device utilizes stripfet h6 technology. This P channel MOSFET transistor operates in enhancement mode.


安富利:
Trans MOSFET P-CH 30V 10A 8-Pin SOIC T/R


Verical:
Trans MOSFET P-CH 30V 12.5A 8-Pin SO N T/R


STS10P3LLH6中文资料参数规格
技术参数

极性 P-CH

耗散功率 2.7 W

输入电容 3350 pF

漏源极电压Vds 30 V

连续漏极电流Ids 12.5A

上升时间 112 ns

输入电容Ciss 3350pF @25VVds

下降时间 45 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2.7W Ta

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 8

封装 SO-8

外形尺寸

封装 SO-8

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号: STS10P3LLH6
描述:SO P-CH 30V 12.5A

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