STB13N60M2

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STB13N60M2概述

N 通道 MDmesh™ M2 系列,STMicroelectronicsMDmesh M2 系列功率 MOSFET 非常适合用于谐振型电源(LLC 转换器)。 其配置具有低栅极电荷,以及极佳的输出电容。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics

N 通道 MDmesh™ M2 系列,STMicroelectronics

STMicroelecronics 的一系列高电压功率 MOSFET。 MDmesh M2 系列凭借其低栅极电荷和出色的输出电容特性,非常适合用于谐振型开关电源(LLC 转换器)。

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立创商城:
N沟道 650V 11A


欧时:
### N 通道 MDmesh™ M2 系列,STMicroelectronicsSTMicroelecronics 的一系列高电压功率 MOSFET。 MDmesh M2 系列凭借其低栅极电荷和出色的输出电容特性,非常适合用于谐振型开关电源(LLC 转换器)。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics


得捷:
MOSFET N-CH 600V 11A D2PAK


e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 600 V, 11 A, 0.35 ohm, TO-263 D2PAK, 表面安装


艾睿:
Looking for a component that can both amplify and switch between signals within your circuit? The STB13N60M2 power MOSFET from STMicroelectronics provides the solution. Its maximum power dissipation is 110000 mW. This component will be shipped in tape and reel packaging for effective mounting and safe delivery. This device utilizes mdmesh technology. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C.


安富利:
Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin D2PAK T/R


富昌:
N-沟道 600 V 0.38 Ohm 表面贴装 MDmesh II Plus 功率 Mosfet - D2PAK


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 7A; 110W; D2PAK


Verical:
Trans MOSFET N-CH 600V 11A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


STB13N60M2中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 0.35 Ω

极性 N-CH

耗散功率 110 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 600 V

连续漏极电流Ids 11A

上升时间 10 ns

输入电容Ciss 580pF @100VVds

额定功率Max 110 W

下降时间 9.5 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 110W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

长度 10.4 mm

宽度 9.35 mm

高度 4.6 mm

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买STB13N60M2
型号: STB13N60M2
描述:N 通道 MDmesh™ M2 系列,STMicroelectronics MDmesh M2 系列功率 MOSFET 非常适合用于谐振型电源(LLC 转换器)。 其配置具有低栅极电荷,以及极佳的输出电容。 ### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics

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