N 通道 STripFET™ H7 系列，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。
N 通道 STripFET™ H7 系列，STMicroelectronics
STripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。
得捷:
MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK
欧时:
### N 通道 STripFET™ H7 系列，STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET，带宽击穿电压范围，可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管，STMicroelectronics
贸泽:
MOSFET N-Ch 100V 0.0068 Ohm typ. 80A STripFET
e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 80 A, 100 V, 0.0068 ohm, 10 V, 4.5 V
艾睿:
This STB100N10F7 power MOSFET from STMicroelectronics can be used for amplification in your circuit. Its maximum power dissipation is 150000 mW. In order to ensure safe delivery and enable quick mounting of this component after delivery, it will be encased in tape and reel packaging during shipment. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 175 °C. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode. This device utilizes stripfet vii technology.
安富利:
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin D2PAK T/R
富昌:
N沟道 100 V 0.0068 Ohm 表面贴装 功率 Mosfet - D2PAK-3
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
Verical:
Trans MOSFET N-CH 100V 80A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
力源芯城:
100V,80A,N沟道功率MOSFET
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 0.0068 Ω
耗散功率 150 W
阈值电压 4.5 V
漏源极电压Vds 100 V
上升时间 40 ns
输入电容Ciss 4369pF @50VVds
额定功率Max 150 W
下降时间 15 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 150W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
长度 10.4 mm
宽度 9.35 mm
高度 4.6 mm
封装 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free