STF45N10F7

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STF45N10F7概述

MOSFET 晶体管,STMicroelectronics

N 通道 STripFET™ H7 系列,STMicroelectronics

STripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。

### MOSFET ,STMicroelectronics


欧时:
### N 通道 STripFET™ H7 系列,STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics


得捷:
MOSFET N-CH 100V 30A TO220FP


艾睿:
Make an effective common source amplifier using this STF45N10F7 power MOSFET from STMicroelectronics. Its maximum power dissipation is 30000 mW. In order to ensure parts aren&s;t damaged by bulk packaging, this product comes in tube packaging to add a little more protection by storing the loose parts in an outer tube. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 175 °C. This device utilizes stripfet technology. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode.


安富利:
Trans MOSFET N-CH 100V 30A 3-Pin TO-220 FP Tube


富昌:
N-Channel 100 V 18 mOhm STripFET VII DeepGATE Power Mosfet - TO-220


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 100V 45A Tube


Verical:
Trans MOSFET N-CH 100V 30A 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube


力源芯城:
100V,0.0145Ω,50A,N沟道功率MOSFET


STF45N10F7中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 25 W

漏源极电压Vds 100 V

上升时间 17 ns

输入电容Ciss 1640pF @50VVds

额定功率Max 25 W

下降时间 8 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 25W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.6 mm

宽度 4.6 mm

高度 16.4 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买STF45N10F7
型号: STF45N10F7
描述:MOSFET 晶体管,STMicroelectronics

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