













STMICROELECTRONICS STN1NF10 晶体管, MOSFET, N沟道, 500 mA, 100 V, 700 mohm, 10 V, 3 V
N 通道 STripFET™,STMicroelectronics
### MOSFET ,STMicroelectronics
得捷:
MOSFET N-CH 100V 1A SOT-223
欧时:
STMicroelectronics STripFET 系列 Si N沟道 MOSFET STN1NF10, 1 A, Vds=100 V, 3针+焊片 SOT-223封装
e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 100 V, 1 A, 0.7 ohm, SOT-223, 表面安装
艾睿:
Create an effective common drain amplifier using this STN1NF10 power MOSFET from STMicroelectronics. Its maximum power dissipation is 2500 mW. This product will be shipped in tape and reel packaging for quick mounting and safe delivery. This device utilizes stripfet ii technology. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode.
安富利:
Trans MOSFET N-CH 100V 1A 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R
Verical:
Trans MOSFET N-CH 100V 1A 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R
Newark:
# STMICROELECTRONICS STN1NF10 MOSFET Transistor, N Channel, 1 A, 100 V, 700 mohm, 10 V, 3 V
Win Source:
MOSFET N-CH 100V 1A SOT-223
额定电压DC 100 V
额定电流 1.00 A
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 0.7 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 2.5 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 100 V
漏源击穿电压 100 V
栅源击穿电压 ±20.0 V
连续漏极电流Ids 500 mA
上升时间 5.5 ns
输入电容Ciss 105pF @25VVds
额定功率Max 2.5 W
下降时间 6.5 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 2.5W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-261-4
长度 6.7 mm
宽度 3.7 mm
高度 1.6 mm
封装 TO-261-4
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 工业, 电源管理, Power Management, Industrial
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17


| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
STN1NF10 ST Microelectronics 意法半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
IRFL110PBF 威世 | 功能相似 | STN1NF10和IRFL110PBF的区别 |
MMFT1N10ET1 安森美 | 功能相似 | STN1NF10和MMFT1N10ET1的区别 |
IRFL9110 Vishay Siliconix | 功能相似 | STN1NF10和IRFL9110的区别 |