STN1NF10

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STN1NF10概述

STMICROELECTRONICS  STN1NF10  晶体管, MOSFET, N沟道, 500 mA, 100 V, 700 mohm, 10 V, 3 V

N 通道 STripFET™,STMicroelectronics

### MOSFET ,STMicroelectronics


得捷:
MOSFET N-CH 100V 1A SOT-223


欧时:
STMicroelectronics STripFET 系列 Si N沟道 MOSFET STN1NF10, 1 A, Vds=100 V, 3针+焊片 SOT-223封装


e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 100 V, 1 A, 0.7 ohm, SOT-223, 表面安装


艾睿:
Create an effective common drain amplifier using this STN1NF10 power MOSFET from STMicroelectronics. Its maximum power dissipation is 2500 mW. This product will be shipped in tape and reel packaging for quick mounting and safe delivery. This device utilizes stripfet ii technology. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode.


安富利:
Trans MOSFET N-CH 100V 1A 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH 100V 1A 4-Pin3+Tab SOT-223 T/R


Newark:
# STMICROELECTRONICS  STN1NF10  MOSFET Transistor, N Channel, 1 A, 100 V, 700 mohm, 10 V, 3 V


Win Source:
MOSFET N-CH 100V 1A SOT-223


STN1NF10中文资料参数规格
技术参数

额定电压DC 100 V

额定电流 1.00 A

通道数 1

针脚数 3

漏源极电阻 0.7 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 2.5 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 100 V

漏源击穿电压 100 V

栅源击穿电压 ±20.0 V

连续漏极电流Ids 500 mA

上升时间 5.5 ns

输入电容Ciss 105pF @25VVds

额定功率Max 2.5 W

下降时间 6.5 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 2.5W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-261-4

外形尺寸

长度 6.7 mm

宽度 3.7 mm

高度 1.6 mm

封装 TO-261-4

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 工业, 电源管理, Power Management, Industrial

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

REACH SVHC版本 2015/12/17

数据手册

STN1NF10引脚图与封装图
STN1NF10引脚图
STN1NF10封装焊盘图
在线购买STN1NF10
型号: STN1NF10
描述:STMICROELECTRONICS  STN1NF10  晶体管, MOSFET, N沟道, 500 mA, 100 V, 700 mohm, 10 V, 3 V
替代型号STN1NF10
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

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