N沟道30 V ， 0.004ヘ， 20 A ， PowerFLAT⑩ （引脚6x5 ）超低栅极电荷STripFET⑩功率MOSFET N-channel 30 V, 0.004 ヘ, 20 A, PowerFLAT⑩ 6x5 ultra low gate charge STripFET⑩ Power MOSFET
N-Channel 30V 75A Tc 60W Tc Surface Mount PowerFlat™ 5x6
得捷:
MOSFET N-CH 30V 20A POWERFLAT6X5
贸泽:
MOSFET N-CH 30 V PowerFLAT
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 75A 8-Pin Power Flat T/R
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 30V 75A 8-Pin Power Flat T/R
Win Source:
MOSFET N-CH 30V 20A POWERFLAT6X5
通道数 1
漏源极电阻 0.004 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 4 W
阈值电压 1 V
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30 V
连续漏极电流Ids 10.0 A
上升时间 65 ns
输入电容Ciss 1810pF @25VVds
额定功率Max 4 W
下降时间 20 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 60W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 8
封装 PowerFLAT-5x6-8
长度 5 mm
宽度 6 mm
高度 0.81 mm
封装 PowerFLAT-5x6-8
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17