N沟道30V - 0.009ohm - 40A - DPAK低栅极电荷的STripFET TM II功率MOSFET N-channel 30V - 0.009ohm - 40A - DPAK Low gate charge STripFET TM II Power MOSFET
表面贴装型 N 通道 40A（Tc） 80W（Tc） DPAK
得捷:
MOSFET N-CH 30V 40A DPAK
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 30V 40A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 30V 40A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 30V 40A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
Verical:
Trans MOSFET N-CH 30V 40A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
Win Source:
MOSFET N-CH 30V 40A DPAK
额定电压DC 30.0 V
额定电流 40.0 A
通道数 1
漏源极电阻 11.5 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 80 W
漏源极电压Vds 30 V
漏源击穿电压 30.0 V
栅源击穿电压 ±16.0 V
连续漏极电流Ids 40.0 A
上升时间 156 ns
输入电容Ciss 1650pF @25VVds
下降时间 28 ns
耗散功率Max 80W Tc
安装方式 Surface Mount
封装 TO-252-3
宽度 6.2 mm
封装 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
STD40NF3LLT4 ST Microelectronics 意法半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
FDD6680AS 飞兆/仙童 | 功能相似 | STD40NF3LLT4和FDD6680AS的区别 |
STD40NF3LL 意法半导体 | 功能相似 | STD40NF3LLT4和STD40NF3LL的区别 |