N 通道 STripFET™ DeepGate™,STMicroelectronicsSTripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。### MOSFET 晶体管,STMicroelectronics
N 通道 STripFET™ DeepGate™,STMicroelectronics
STripFET™ MOSFET,带宽击穿电压范围,可提供超低栅极电话和低接通电阻。
### MOSFET ,STMicroelectronics
得捷:
MOSFET N-CH 30V 6A SOT23-6
立创商城:
N沟道 30V 6A
欧时:
STMicroelectronics DeepGate, STripFET 系列 Si N沟道 MOSFET STT6N3LLH6, 6 A, Vds=30 V, 6引脚 SOT-23封装
贸泽:
MOSFET N-Ch 30V .025Ohm 6A STripFET VI
e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 6 A, 30 V, 0.021 ohm, 10 V, 1 V
艾睿:
Increase the current or voltage in your circuit with this STT6N3LLH6 power MOSFET from STMicroelectronics. Its maximum power dissipation is 1600 mW. Tape and reel packaging will encase the product during shipment, ensuring safe delivery and enabling quick mounting of components. This device utilizes stripfet technology. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 150 °C. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode.
安富利:
Trans MOSFET N-CH 30V 6A 6-Pin SOT-23 T/R
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 30V 6A 6-Pin SOT-23 T/R
Verical:
Trans MOSFET N-CH 30V 6A 6-Pin SOT-23 T/R
针脚数 6
漏源极电阻 0.021 Ω
耗散功率 1.6 W
阈值电压 1 V
漏源极电压Vds 30 V
上升时间 11.2 ns
输入电容Ciss 283pF @24VVds
额定功率Max 1.6 W
下降时间 5.4 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 1.6W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 6
封装 SOT-23-6
长度 3.05 mm
宽度 1.75 mm
高度 1.3 mm
封装 SOT-23-6
工作温度 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
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STT6N3LLH6 ST Microelectronics 意法半导体 | 当前型号 | 当前型号 |
FDC855N 安森美 | 功能相似 | STT6N3LLH6和FDC855N的区别 |