STB20N65M5

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STB20N65M5概述

650V,0.160Ω,18A,N沟道功率MOSFET

N-Channel 650V 18A Tc 130W Tc Surface Mount D2PAK


得捷:
MOSFET N-CH 650V 18A D2PAK


立创商城:
STB20N65M5


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 650V 18A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


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Trans MOSFET N-CH 710V 18A 3-Pin D²PAK T/R


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Trans MOSFET N-CH 650V 18A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


Verical:
Trans MOSFET N-CH 650V 18A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


力源芯城:
650V,0.160Ω,18A,N沟道功率MOSFET


STB20N65M5中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

耗散功率 130 W

阈值电压 4 V

漏源极电压Vds 650 V

输入电容Ciss 1434pF @100VVds

额定功率Max 130 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 130W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买STB20N65M5
型号: STB20N65M5
描述:650V,0.160Ω,18A,N沟道功率MOSFET

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