STP60N3LH5

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STP60N3LH5概述

N沟道30 V , 0.0072 Ω , 48采用DPAK , IPAK , TO- 220的STripFET ™ V功率MOSFET N-channel 30 V, 0.0072 Ω, 48 A DPAK, IPAK, TO-220 STripFET™ V Power MOSFET

通孔 N 通道 30 V 48A(Tc) 60W(Tc) TO-220AB


得捷:
MOSFET N-CH 30V 48A TO220AB


贸泽:
MOSFET N-Ch 30V 0.0072 Ohm 48A IPAK STripFET


艾睿:
Create an effective common drain amplifier using this STP60N3LH5 power MOSFET from STMicroelectronics. Its maximum power dissipation is 60000 mW. In order to ensure parts aren&s;t damaged by bulk packaging, this product comes in tube packaging to add a little more protection by storing the loose parts in an outer tube. This MOSFET transistor has an operating temperature range of -55 °C to 175 °C. This N channel MOSFET transistor operates in enhancement mode.


安富利:
Trans MOSFET N-CH 30V 48A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube


Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 30V 48A 3-Pin3+Tab TO-220 Tube


Win Source:
MOSFET N-CH 30V 48A TO-220


STP60N3LH5中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

漏源极电阻 7.2 mΩ

耗散功率 60 W

阈值电压 3 V

漏源极电压Vds 30 V

漏源击穿电压 30 V

上升时间 33 ns

输入电容Ciss 1350pF @25VVds

额定功率Max 60 W

下降时间 4.2 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 60W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买STP60N3LH5
型号: STP60N3LH5
描述:N沟道30 V , 0.0072 Ω , 48采用DPAK , IPAK , TO- 220的STripFET ™ V功率MOSFET N-channel 30 V, 0.0072 Ω, 48 A DPAK, IPAK, TO-220 STripFET™ V Power MOSFET
替代型号STP60N3LH5
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